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FDG6321C

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onsemi

MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88

FDG6321C 데이터 시트

비준수

FDG6321C 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.15065 -
6,000 $0.14152 -
15,000 $0.13239 -
30,000 $0.12143 -
75,000 $0.11686 -
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 25V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 500mA, 410mA
rds on (max) @ id, vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 50pF @ 10V
전력 - 최대 300mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SC-88 (SC-70-6)
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