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FDMS3660S

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onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56

비준수

FDMS3660S 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.56734 -
6,000 $0.53897 -
15,000 $0.51871 -
64 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 30A, 60A
rds on (max) @ id, vgs 8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.7V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 29nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1765pF @ 15V
전력 - 최대 1W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지 Power56
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