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FDMS4D0N12C

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onsemi

MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN

compliant

FDMS4D0N12C 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $3.15467 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 120 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 18.5A (Ta), 114A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 4mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 370A
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 6460 pF @ 60 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.7W (Ta), 106W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
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