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FDS86140

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC

FDS86140 데이터 시트

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제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 11.2A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 9.8mOhm @ 11.2A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2580 pF @ 50 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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