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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압 - dc 역방향(vr)(최대) | 650 V |
| 현재 - 평균 정류(io) | 4A |
| 전압 - 순방향 (vf) (최대) @ if | 1.75 V @ 4 A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역방향 회복 시간(trr) | 0 ns |
| 전류 - 역방향 누설 @ vr | 200 µA @ 650 V |
| 정전용량 @ vr, f | 247pF @ 1V, 100kHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 4-PowerTSFN |
| 공급업체 장치 패키지 | 4-PQFN (8x8) |
| 작동 온도 - 접합부 | -55°C ~ 175°C |
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