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FGD3N60LSDTM-T

FGD3N60LSDTM-T

FGD3N60LSDTM-T

onsemi

INTEGRATED CIRCUIT

compliant

FGD3N60LSDTM-T 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
igbt 유형 -
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 600 V
전류-수집기(ic) (최대) 6 A
전류-수집기 펄스(icm) 25 A
vce(on) (최대) @ vge, ic 1.5V @ 10V, 3A
전력 - 최대 40 W
에너지 전환 250µJ (on), 1mJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 요금 12.5 nC
td (켜짐/꺼짐) @ 25°c 40ns/600ns
테스트 조건 480V, 3A, 470Ohm, 10V
역방향 회복 시간(trr) 234 ns
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급업체 장치 패키지 TO-252AA
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