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FQD10N20CTF

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

비준수

FQD10N20CTF 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 360mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 510 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 50W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252AA
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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