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FQD2N80TM

FQD2N80TM

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK

비준수

FQD2N80TM 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.28000 $1.28
500 $1.2672 $633.6
1000 $1.2544 $1254.4
1500 $1.2416 $1862.4
2000 $1.2288 $2457.6
2500 $1.216 $3040
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 800 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 6.3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 550 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252AA
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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