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FQU10N20CTU

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK

compliant

FQU10N20CTU 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.99000 $0.99
10 $0.86400 $8.64
100 $0.66650 $66.65
500 $0.49368 $246.84
1,000 $0.39494 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Last Time Buy
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 200 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7.8A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 360mOhm @ 3.9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 510 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 50W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 I-PAK
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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