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HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

onsemi

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

compliant

HGT1S10N120BNST 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
800 $1.89606 $1516.848
1,600 $1.61366 -
2,400 $1.54125 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
igbt 유형 NPT
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 1200 V
전류-수집기(ic) (최대) 35 A
전류-수집기 펄스(icm) 80 A
vce(on) (최대) @ vge, ic 2.7V @ 15V, 10A
전력 - 최대 298 W
에너지 전환 320µJ (on), 800µJ (off)
입력 유형 Standard
게이트 요금 100 nC
td (켜짐/꺼짐) @ 25°c 23ns/165ns
테스트 조건 960V, 10A, 10Ohm, 15V
역방향 회복 시간(trr) -
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급업체 장치 패키지 D²PAK (TO-263)
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