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NCP5111DR2G

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onsemi

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

비준수

NCP5111DR2G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.44800 -
5,000 $0.42560 -
12,500 $0.40960 -
25,000 $0.39680 -
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
구동 구성 Half-Bridge
채널 유형 Synchronous
운전자 수 2
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET
전압 - 공급 10V ~ 20V
논리 전압 - vil, vih 0.8V, 2.3V
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 250mA, 500mA
입력 유형 Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) 600 V
상승/하강 시간(일반) 85ns, 35ns
작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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