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NTBGS1D5N06C

NTBGS1D5N06C

NTBGS1D5N06C

onsemi

POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267

compliant

NTBGS1D5N06C 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $6.41000 $6.41
500 $6.3459 $3172.95
1000 $6.2818 $6281.8
1500 $6.2177 $9326.55
2000 $6.1536 $12307.2
2500 $6.0895 $15223.75
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 35A (Ta), 267A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V, 12V
rds on (max) @ id, vgs 1.55mOhm @ 64A, 12V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 318µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 78.6 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 6250 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 3.7W (Ta), 211W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 D2PAK (TO-263)
패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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