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NTD4806NA-1G

NTD4806NA-1G

NTD4806NA-1G

onsemi

MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK

compliant

NTD4806NA-1G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.10000 $0.1
500 $0.099 $49.5
1000 $0.098 $98
1500 $0.097 $145.5
2000 $0.096 $192
2500 $0.095 $237.5
10350 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 11.3A (Ta), 79A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) -
rds on (max) @ id, vgs 6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs(최대) -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2142 pF @ 12 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) -
작동 온도 -
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 I-PAK
패키지 / 케이스 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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