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NTGS5120PT1G

NTGS5120PT1G

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onsemi

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP

compliant

NTGS5120PT1G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.19608 -
6,000 $0.18343 -
15,000 $0.17078 -
30,000 $0.16192 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.8A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 111mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 18.1 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 942 pF @ 30 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 600mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 6-TSOP
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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