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NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G

onsemi

MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363

compliant

NTJD1155LT1G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
3,000 $0.13145 -
6,000 $0.12386 -
15,000 $0.11627 -
30,000 $0.10716 -
75,000 $0.10336 -
1254 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 8V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.3A
rds on (max) @ id, vgs 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds -
전력 - 최대 400mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363
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