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NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G

onsemi

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

SOT-23

비준수

NTJD4105CT1G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.46000 $0.46
500 $0.4554 $227.7
1000 $0.4508 $450.8
1500 $0.4462 $669.3
2000 $0.4416 $883.2
2500 $0.437 $1092.5
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V, 8V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 630mA, 775mA
rds on (max) @ id, vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 46pF @ 20V
전력 - 최대 270mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363
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