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NTMD6N02R2

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onsemi

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

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이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.92A
rds on (max) @ id, vgs 35mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1100pF @ 16V
전력 - 최대 730mW
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
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