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NTMFD0D9N02P1E

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onsemi

IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

비준수

NTMFD0D9N02P1E 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V, 25V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 14A (Ta), 30A (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 340µA, 2V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
전력 - 최대 960mW (Ta), 1.04W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerWDFN
공급업체 장치 패키지 8-PQFN (5x6)
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