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NTMS5P02R2G

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC

compliant

NTMS5P02R2G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.28710 -
5,000 $0.26730 -
12,500 $0.25740 -
25,000 $0.25200 -
48709 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 P-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3.95A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.25V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 35 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1900 pF @ 16 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 790mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 8-SOIC
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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