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NTP165N65S3H

NTP165N65S3H

NTP165N65S3H

onsemi

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

compliant

NTP165N65S3H 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $3.68000 $3.68
500 $3.6432 $1821.6
1000 $3.6064 $3606.4
1500 $3.5696 $5354.4
2000 $3.5328 $7065.6
2500 $3.496 $8740
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 19A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 165mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 1.6mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1808 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 142W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220-3
패키지 / 케이스 TO-220-3
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