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NVD6416ANLT4G-001

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3

compliant

NVD6416ANLT4G-001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.08000 $1.08
500 $1.0692 $534.6
1000 $1.0584 $1058.4
1500 $1.0476 $1571.4
2000 $1.0368 $2073.6
2500 $1.026 $2565
80000 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 100 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 19A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 74mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1000 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 71W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 DPAK-3
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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