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NVF3055L108T1G

NVF3055L108T1G

NVF3055L108T1G

onsemi

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

compliant

NVF3055L108T1G 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1,000 $0.36590 -
2,000 $0.33160 -
5,000 $0.30873 -
10,000 $0.29730 -
25,000 $0.29106 -
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 3A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 5V
rds on (max) @ id, vgs 120mOhm @ 1.5A, 5V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 15 nC @ 5 V
vgs(최대) ±15V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 440 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1.3W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA
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