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PJC7002H_R1_00001

PJC7002H_R1_00001

PJC7002H_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJC7002H_R1_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.23000 $0.23
500 $0.2277 $113.85
1000 $0.2254 $225.4
1500 $0.2231 $334.65
2000 $0.2208 $441.6
2500 $0.2185 $546.25
2640 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 250mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 5Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 1.3 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 22 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 350mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-323
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
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