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PJC7410_R1_00001

PJC7410_R1_00001

PJC7410_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJC7410_R1_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
2878 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 500mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.2V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 400mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 900mV @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 1.4 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 67 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 350mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-323
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
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