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PJC7472B_R1_00001

PJC7472B_R1_00001

PJC7472B_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJC7472B_R1_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 60 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 250mA (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 3Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.82 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 34 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 350mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-323
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
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