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PJP7NA65_T0_00001

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650V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJP7NA65_T0_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $1.49000 $1.49
500 $1.4751 $737.55
1000 $1.4602 $1460.2
1500 $1.4453 $2167.95
2000 $1.4304 $2860.8
2500 $1.4155 $3538.75
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 4V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 16.8 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 754 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 145W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-220AB
패키지 / 케이스 TO-220-3
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