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PJQ4416EP_R2_00001

PJQ4416EP_R2_00001

PJQ4416EP_R2_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4416EP_R2_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 11A (Ta), 30A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 1.8V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1117 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 2W (Ta), 26W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 DFN3333-8
패키지 / 케이스 8-PowerVDFN
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