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PJQ5606_R2_00001

PJQ5606_R2_00001

PJQ5606_R2_00001

30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

compliant

PJQ5606_R2_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.83000 $0.83
500 $0.8217 $410.85
1000 $0.8134 $813.4
1500 $0.8051 $1207.65
2000 $0.7968 $1593.6
2500 $0.7885 $1971.25
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel Complementary
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 7A (Ta), 25A (Tc), 6.1A (Ta), 22A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
전력 - 최대 1.7W (Ta), 21W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지 DFN5060B-8
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