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PJT7603_R1_00001

PJT7603_R1_00001

PJT7603_R1_00001

COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJT7603_R1_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.42000 $0.42
500 $0.4158 $207.9
1000 $0.4116 $411.6
1500 $0.4074 $611.1
2000 $0.4032 $806.4
2500 $0.399 $997.5
5967 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel Complementary
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 50V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 400mA (Ta), 250mA (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (최대) @ id 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
전력 - 최대 350mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SOT-363
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