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PJT7812_R1_00001

PJT7812_R1_00001

PJT7812_R1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJT7812_R1_00001 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
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이름
제품 상태 Not For New Designs
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 기능 Standard
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 500mA (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.1V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 0.87nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 34pF @ 15V
전력 - 최대 350mW (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급업체 장치 패키지 SOT-363
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