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P3M06300K3

P3M06300K3

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SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3

compliant

P3M06300K3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $4.98000 $4.98
500 $4.9302 $2465.1
1000 $4.8804 $4880.4
1500 $4.8306 $7245.9
2000 $4.7808 $9561.6
2500 $4.731 $11827.5
1 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압(vdss) 650 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 9A
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 15V
rds on (max) @ id, vgs 500mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (최대) @ id 2.2V @ 5mA (Typ)
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 904 nC @ 15 V
vgs(최대) +20V, -8V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 338 pF @ 400 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 38W
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Through Hole
공급업체 장치 패키지 TO-247-3L
패키지 / 케이스 TO-247-3
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