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RM1A5N30S3AE

RM1A5N30S3AE

RM1A5N30S3AE

Rectron USA

MOSFET N-CH 30V 1.5A/1.4A SOT323

compliant

RM1A5N30S3AE 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.03900 $0.039
500 $0.03861 $19.305
1000 $0.03822 $38.22
1500 $0.03783 $56.745
2000 $0.03744 $74.88
2500 $0.03705 $92.625
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.5A (Ta), 1.4A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 144mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.5V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 105 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
작동 온도 -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-323
패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323
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