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RM2302

RM2302

RM2302

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23

SOT-23

RM2302 데이터 시트

비준수

RM2302 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.04200 $0.042
500 $0.04158 $20.79
1000 $0.04116 $41.16
1500 $0.04074 $61.11
2000 $0.04032 $80.64
2500 $0.0399 $99.75
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 20 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs 45mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 1.2V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±12V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 300 pF @ 10 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 1W (Ta)
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 SOT-23
패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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