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RM80N30LD

RM80N30LD

RM80N30LD

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252-2

compliant

RM80N30LD 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.19000 $0.19
500 $0.1881 $94.05
1000 $0.1862 $186.2
1500 $0.1843 $276.45
2000 $0.1824 $364.8
2500 $0.1805 $451.25
Inventory changes frequently.
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 30 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 80A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 3V @ 250µA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs -
vgs(최대) ±20V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 2330 pF @ 15 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 83W (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 TO-252-2
패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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