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71T75602S100BGG8

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71T75602S100BGG8

71T75602S100BGG8

Renesas Electronics America Inc

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

71T75602S100BGG8 데이터 시트

비준수

71T75602S100BGG8 가격 및 주문

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이름 값
제품 상태 Active
메모리 유형 Volatile
메모리 형식 SRAM
기술 SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
메모리 크기 18Mb (512K x 36)
메모리 인터페이스 Parallel
클록 주파수 100 MHz
쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 -
접근 시간 5 ns
전압 - 공급 2.375V ~ 2.625V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 119-BGA
공급업체 장치 패키지 119-PBGA (14x22)
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