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HIP6601BECBZA-T

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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

비준수

HIP6601BECBZA-T 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
구동 구성 Half-Bridge
채널 유형 Synchronous
운전자 수 2
게이트 유형 N-Channel MOSFET
전압 - 공급 10.8V ~ 13.2V
논리 전압 - vil, vih -
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) -
입력 유형 Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) 15 V
상승/하강 시간(일반) 20ns, 20ns
작동 온도 0°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 8-SOIC-EP
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