HSG1002VE-TL-E Renesas Electronics America Inc ichome.com에서

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HSG1002VE-TL-E

제조업체 부품 번호:HSG1002VE-TL-E

제조업체:Renesas Electronics America Inc

설명:RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN

데이터 시트:HSG1002VE-TL-E 데이터 시트

RoHs 상태:compliant

수량	단가	추가 가격
1	$0.39000	$0.39
500	$0.3861	$193.05
1000	$0.3822	$382.2
1500	$0.3783	$567.45
2000	$0.3744	$748.8
2500	$0.3705	$926.25

재고 있음: 519687 items

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명세서
데이터 시트

이름	값
제품 상태	Active
트랜지스터 유형	NPN
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대)	3.5V
주파수 - 전환	38GHz
잡음 지수(db typ @ f)	0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
얻다	8dB ~ 19.5dB
전력 - 최대	200mW
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce	100 @ 5mA, 2V
전류-수집기(ic) (최대)	35mA
작동 온도	-
장착 유형	Surface Mount
패키지 / 케이스	4-SMD, Gull Wing
공급업체 장치 패키지	4-MFPAK

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