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ISL6613AEIBZ-T

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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

비준수

ISL6613AEIBZ-T 가격 및 주문

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제품 상태 Last Time Buy
구동 구성 Half-Bridge
채널 유형 Synchronous
운전자 수 2
게이트 유형 N-Channel MOSFET
전압 - 공급 10.8V ~ 13.2V
논리 전압 - vil, vih -
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 1.25A, 2A
입력 유형 Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) 36 V
상승/하강 시간(일반) 26ns, 18ns
작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급업체 장치 패키지 8-SOIC-EP
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