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NE5550979A-T1-A

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NE5550979A-T1-A

NE5550979A-T1-A

Renesas Electronics America Inc

RF N-CHANNEL POWER MOSFET

NE5550979A-T1-A 데이터 시트

compliant

NE5550979A-T1-A 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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이름 값
제품 상태 Active
트랜지스터 유형 LDMOS
빈도 900MHz
얻다 22dB
전압 - 테스트 7.5 V
현재 정격 (암페어) 3A
잡음 지수 -
현재 - 테스트 200 mA
전력 - 출력 38.6dBm
전압 - 정격 30 V
패키지 / 케이스 79A
공급업체 장치 패키지 79A
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