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RJK5013DPE-00#J3

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MOSFET N-CH 500V 14A 4LDPAK

비준수

RJK5013DPE-00#J3 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(vdss) 500 V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 14A (Ta)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐) 10V
rds on (max) @ id, vgs 465mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (최대) @ id -
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs(최대) ±30V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1450 pF @ 25 V
FET 기능 -
전력 소모(최대) 100W (Tc)
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
공급업체 장치 패키지 LDPAK
패키지 / 케이스 SC-83
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