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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| FET 유형 | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 60V |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 20A |
| rds on (max) @ id, vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (최대) @ id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 43nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 2600pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 54W |
| 작동 온도 | 175°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| 공급업체 장치 패키지 | 20-HSOP |
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