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BS2101F-E2

BS2101F-E2

BS2101F-E2

Rohm Semiconductor

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

compliant

BS2101F-E2 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
2,500 $0.33060 -
5,000 $0.31920 -
145 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Not For New Designs
구동 구성 High-Side or Low-Side
채널 유형 Synchronous
운전자 수 2
게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET
전압 - 공급 10V ~ 18V
논리 전압 - vil, vih 1V, 2.6V
전류 - 피크 출력(소스, 싱크) 60mA, 130mA
입력 유형 Non-Inverting
하이 사이드 전압 - 최대 (부트스트랩) 600 V
상승/하강 시간(일반) 60ns, 20ns
작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급업체 장치 패키지 8-SOP
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