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DTD513ZMT2L

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Rohm Semiconductor

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

비준수

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제품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased
전류-수집기(ic) (최대) 500 mA
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 12 V
저항기 - 베이스(r1) 1 kOhms
저항기 - 이미터 베이스(r2) 10 kOhms
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce 140 @ 100mA, 2V
vce 포화도(최대) @ ib, ic 300mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단(최대) 500nA
주파수 - 전환 260 MHz
전력 - 최대 150 mW
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-723
공급업체 장치 패키지 VMT3
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