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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 0.9V Drive |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 50V |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 200mA |
| rds on (max) @ id, vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
| vgs(th) (최대) @ id | 800mV @ 1mA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | - |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 26pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 120mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급업체 장치 패키지 | EMT6 |
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