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EMB10T2R

EMB10T2R

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Rohm Semiconductor

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMB10T2R 데이터 시트

비준수

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제품 상태 Active
트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기(ic) (최대) 100mA
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 50V
저항기 - 베이스(r1) 2.2kOhms
저항기 - 이미터 베이스(r2) 47kOhms
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce 80 @ 10mA, 5V
vce 포화도(최대) @ ib, ic 300mV @ 250µA, 5mA
전류-수집기 차단(최대) 500nA
주파수 - 전환 250MHz
전력 - 최대 150mW
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지 EMT6
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