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EMF22T2R

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Rohm Semiconductor

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

EMF22T2R 데이터 시트

비준수

EMF22T2R 가격 및 주문

수량 단가 추가 가격
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom 비용 다운
Bom 비용 다운
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
모든 주문에 대한 도매 가격, 크거나 작음
이름
제품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
전류-수집기(ic) (최대) 100mA, 500mA
전압 - 컬렉터 에미터 파괴 (최대) 50V, 12V
저항기 - 베이스(r1) 10kOhms
저항기 - 이미터 베이스(r2) 10kOhms
dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
vce 포화도(최대) @ ib, ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단(최대) 500nA
주파수 - 전환 250MHz, 320MHz
전력 - 최대 150mW
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666
공급업체 장치 패키지 EMT6
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