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HP8K22TB

HP8K22TB

HP8K22TB

Rohm Semiconductor

30V NCH+NCH MID POWER MOSFET

HP8K22TB 데이터 시트

compliant

HP8K22TB 가격 및 주문

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2,500 $0.47740 -
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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능 -
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 27A, 57A
rds on (max) @ id, vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 16.8nC @ 10V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 1080pF @ 15V
전력 - 최대 25W
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-PowerTDFN
공급업체 장치 패키지 8-HSOP
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