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QS6J1TR

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Rohm Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

SOT-23

QS6J1TR 데이터 시트

비준수

QS6J1TR 가격 및 주문

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이름
제품 상태 Active
FET 유형 2 P-Channel (Dual)
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 20V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 1.5A
rds on (max) @ id, vgs 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (최대) @ id 2V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 270pF @ 10V
전력 - 최대 1.25W
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급업체 장치 패키지 TSMT6 (SC-95)
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