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QS8M12TCR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

비준수

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제품 상태 Active
FET 유형 N and P-Channel
FET 기능 Logic Level Gate
드레인-소스 전압(vdss) 30V
현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c 4A
rds on (max) @ id, vgs 42mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (최대) @ id 2.5V @ 1mA
게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs 3.4nC @ 5V
입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds 250pF @ 10V
전력 - 최대 1.5W
작동 온도 150°C (TJ)
장착 유형 Surface Mount
패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead
공급업체 장치 패키지 TSMT8
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