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| 이름 | 값 |
|---|---|
| 제품 상태 | Active |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압(vdss) | 60V |
| 현재 - 연속 드레인(id) @ 25°c | 3A (Ta), 2A (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V |
| vgs(th) (최대) @ id | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA |
| 게이트 전하 (qg) (최대) @ vgs | 4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds | 270pF @ 10V, 750pF @ 10V |
| 전력 - 최대 | 1.1W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급업체 장치 패키지 | TSMT8 |
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